国家/地区 韩国（115）
IPC部 C（67） H（61） B（34）
G（18） A（6） D（4）
F（3） E（2）
IPC大类 H01（58） C01（45） B01（16）
C08（12） C09（11） B82（10）
G01（10） C23（7） B32（6）
A61（5） B05（5） G02（5）
H05（5） C07（4） C25（4）
IPC小类 C01B（44） H01L（26） H01M（17）
B01J（16） H01B（11） B82Y（10）
C08K（10） C08L（10） H01G（10）
G01N（8） C09D（7） C23C（7）
B32B（6） B01D（5） B05B（4）
IPC C01B031/04（23） C01B031/02（14） H01M004/36（10）
B82Y040/00（9） H01M004/38（8） H01M004/587（8）
C01B032/194（7） C08K003/04（7） H01M004/62（7）
H01M010/052（7） C01B032/198（6） H01L051/00（6）
C01B033/02（5） C09D163/00（5） H01B013/00（5）
发明人 LEE H（115）
公开年 2021（19） 2022（16） 2016（14） 2014（12） 2023（10） 2013（9） 2015（9） 2017（8） 2012（5） 2018（5） 2020（5） 2011（2）
申请年 2020（16）  2014（15）  2021（14）  2015（13）  2011（10）  2013（10）  2019（9）  2022（7）  2016（6）  2017（5）  2012（4）  2018（3） 
专利权人 UNIV SUNGKYU.（41） SAMSUNG ELEC.（7） BASIC SCI IN.（6） KOREA ADVANC.（6）
KOREA ELECTR.（6） KOREA INST S.（4） AGENCY DEFEN.（3） HYUNDAI MOTO.（3）
INDONG ELECT.（3） LEE H（3） S S TECH CO.（3） UNIV PUSAN N.（3）
UNIV SEOUL N.（3） UNIV SUNGKYU.（3） UNIV SUNGKYU.（3） EBTECH CO LT.（2）
ELECTRONICS .（2） GRAPHENEALL .（2） KIA CORP（2） KOREA ADV IN.（2）

Porous carbon material used in positive electrode for lithium-sulfur battery, has specific surface area and impurities removed through pretreatment using microwaves.

SONG M, PARK I, CHOI R, LEE H, KIM Y, PARK S, YANG S, MYUNGJUN S, PARK I T, KIM Y H

Packaging unit for directly cooling semiconductor device, has thin film structure that is provided with pattern portion which is formed in partitioning portion of fluid movement area to include same height as edge portion and closely adhere to flow channel of substrate.

PARK J, KANG M S, KIM H C, LEE H, JANG S J, JEONG H, CHOI I K, KIM S I, LEE S, AHN H, LIM J

Producing polyimide powder used in display, automobile, medical, battery, and aerospace, involves preparing polyamic acid solution, preparing polyimide mixed solution by heating polyamic acid solution, and filtering and drying precipitate present in mixed solution to obtain polyimide powder.

LEE H S, YANG M S, LEE I S, LEE H, YANG M

Three-terminal synaptic device comprises drain electrode provided on substrate and spaced apart from each other, channel layer provided on substrate, source electrode, and drain electrode, ion reservoir layer configured to store active ions, gate electrode provided on ion reservoir layer.

CHOI W, HWANG H, LEE K, KWON J, LEE H, LEE J, NOH S, NOH S J, YI J S, KWON J H, LEE G M, HWANGHYUNSANG

Producing core-shell composite used for electrodes in secondary batteries, comprises e.g. preparing active material paste by mixing hydrophobic particles and alcohol, and preparing spray solution by mixing dough with hydrophilic graphene.

YANG S, LEE G, JEONG S, KIM I, JUNG S Y, KIM B, RYUJIHYUN, LEE H, BAEK J G

Through-hole epitaxy method for manufacturing light emitting device, involves forming amorphous insulating layer with nano-sized first through hole on growth substrate, where semiconductor layer is transferred to target substrate using support.

KIM J G, CHOI J, KWON Y G, JANG D, LEE Y, AHN C, LEE S J, LEE H, KIM D

Reduced graphene oxide used in electrode for secondary battery, comprises crystalline reduced graphene oxide in powder form having two-dimensional structure.

JEONG S Y, YANG S H, LEE G W, KIM I J, KIM B G, RYU J H, LEE H J, JEONG S, YANG S, LEE G, KIM I, KIM B, RYUJIHYUN, LEE H, JUNG S Y

Porous material-based hydrogen sensor for use in hydrogen industry, has hydrogen-chromic pigment core provided with platinum group metal oxide that is partially attached to surface of porous support.

LEE H, KIMSEONGJUN

Electronic device used in ferroelectric materials, comprises channel between source and drain, gate electrode on substrate and facing channel, ferroelectric thin film structure between channel and gate electrode, crystallization barrier layer has dielectric material and second ferroelectric layer.

LEE J, LEE E, BAE H, MOON T, NAM S, JO S, LEE H, LEE Y, HEO J, HEO J S, LEE Y S, LEE H S, NAM S G, MOON T H, YOUL B, HA L, HO L J

Preparing graphene useful in transistor, comprises supplying substituted alkyne based precursor to chamber including first zone and second zone, vaporizing or sublimating precursor in first zone, and depositing sublimed precursor.

LEE H Y, SEO S, CHOI J, LEE H